發(fā)布時(shí)間: 2025-06-27 行業(yè)新聞

全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)正經(jīng)歷一場(chǎng)深刻的變革。以三星、SK海力士、美光為代表的國(guó)外存儲(chǔ)大廠，在內(nèi)存技術(shù)迭代的浪潮中，對(duì)產(chǎn)品布局做出了重大調(diào)整，而這一變化也為國(guó)內(nèi)廠商帶來(lái)了新的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。

01、國(guó)外大廠停產(chǎn)DDR4，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)填補(bǔ)空缺

三星：2025年4月致函客戶(hù)，針對(duì)DDR4模組2025年底進(jìn)入產(chǎn)品壽命結(jié)束，最后訂購(gòu)日期在6月上旬。停止1y/1z納米制程8GB LPDDR4生產(chǎn)；多款8GB/16GB DDR4 SODIMM或UDIMM模組等將進(jìn)入停產(chǎn)，最后出貨日期為12月10日。

美光：已向客戶(hù)發(fā)出信件通知DDR4/LPDDR4將停產(chǎn)，預(yù)計(jì)未來(lái)2-3個(gè)季度陸續(xù)停止出貨，主要針對(duì)PC及數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，僅保留車(chē)用/工業(yè)定制化產(chǎn)能。

SK海力士：DDR4產(chǎn)能占比從30%降至20%，大連工廠轉(zhuǎn)產(chǎn)HBM。

至此，三家存儲(chǔ)大廠均已宣布停產(chǎn)DDR4內(nèi)存。究其根源，AI帶來(lái)巨量的HBM和服務(wù)器DRAM增量需求，使得原廠傾注更多資源生產(chǎn)高附加值產(chǎn)品。而DDR4產(chǎn)品隨著時(shí)間推移，邊際利潤(rùn)越來(lái)越低，故而大型原廠選擇撤出這一市場(chǎng)。

然而，在原廠撤出的同時(shí)，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)卻呈現(xiàn)出不同景象。國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)企業(yè)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、福建晉華在DDR4內(nèi)存市場(chǎng)上采取了積極的擴(kuò)產(chǎn)策略，并大幅下調(diào)價(jià)格，這一舉措使得國(guó)內(nèi)廠商在DDR4市場(chǎng)份額得以快速提升，填補(bǔ)了國(guó)外大廠退出后留下的部分市場(chǎng)空缺。

國(guó)內(nèi)廠商之所以還在專(zhuān)攻DDR4，主要是基于市場(chǎng)需求與自身技術(shù)發(fā)展階段的考量。在市場(chǎng)需求端，盡管DDR5逐漸興起，但DDR4在一些對(duì)成本較為敏感且性能要求相對(duì)不高的領(lǐng)域，例如部分消費(fèi)級(jí)PC、低端筆記本電腦、工業(yè)控制、智能家居等，仍存在較大需求。從自身技術(shù)發(fā)展來(lái)看，國(guó)內(nèi)廠商在DDR4領(lǐng)域經(jīng)過(guò)多年耕耘，已經(jīng)積累了一定的技術(shù)實(shí)力與產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)。其通過(guò)對(duì)DDR4技術(shù)的持續(xù)優(yōu)化，在產(chǎn)品性能和質(zhì)量上也不斷提升，能夠滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)DDR4內(nèi)存的品質(zhì)要求，從而在DDR4市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)一席之地。

而在技術(shù)研發(fā)方面，國(guó)內(nèi)廠商在DDR4技術(shù)上也不斷取得突破，逐步縮小與國(guó)際領(lǐng)先水平的差距。以兆易創(chuàng)新為例，公司通過(guò)自主研發(fā)與持續(xù)技術(shù)累積，已推出多款符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的DDR4芯片產(chǎn)品，涵蓋不同容量與頻率規(guī)格，廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、安防監(jiān)控、網(wǎng)絡(luò)通信等。兆易創(chuàng)新在DDR4產(chǎn)品上持續(xù)提升數(shù)據(jù)傳輸速率、降低功耗，同時(shí)在兼容性與可靠性測(cè)試方面建立起成熟體系，已具備向下游客戶(hù)大規(guī)模穩(wěn)定供貨的能力。

合肥長(zhǎng)鑫作為國(guó)內(nèi)DRAM制造領(lǐng)域的重要力量，也在DDR4技術(shù)上不斷推進(jìn)工藝演進(jìn)。目前，長(zhǎng)鑫基于19nm工藝節(jié)點(diǎn)的DDR4芯片已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，產(chǎn)品性能可滿(mǎn)足中高端市場(chǎng)需求。在制程微縮、芯片穩(wěn)定性與產(chǎn)能擴(kuò)展等方面，長(zhǎng)鑫持續(xù)加碼投入，逐步打破國(guó)外技術(shù)壟斷。

此外，包括福建晉華、普冉半導(dǎo)體等新興廠商也在積極布局DDR4相關(guān)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，圍繞特定行業(yè)需求打造差異化解決方案，加速產(chǎn)品落地。

02、海外廠商轉(zhuǎn)向HBM/DDR5，多領(lǐng)域驅(qū)動(dòng)發(fā)展

當(dāng)國(guó)外大廠逐步停產(chǎn)DDR4時(shí)，它們將目光轉(zhuǎn)向了HBM和DDR5市場(chǎng)，而這一轉(zhuǎn)變背后，是多領(lǐng)域的強(qiáng)勁需求驅(qū)動(dòng)。

數(shù)據(jù)中心作為AI應(yīng)用的核心場(chǎng)景，對(duì)內(nèi)存性能和容量提出了極高要求。隨著人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展，無(wú)論是AI訓(xùn)練還是推理，都需要處理海量數(shù)據(jù)，這使得內(nèi)存的帶寬和容量成為系統(tǒng)效能的關(guān)鍵瓶頸。DDR5憑借高速率和大容量特性，能夠有效提升數(shù)據(jù)處理速度；HBM則以其超高帶寬，極大滿(mǎn)足了AI服務(wù)器對(duì)數(shù)據(jù)快速讀寫(xiě)的需求。

在PC和移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)，隨著AI技術(shù)的逐漸融入，對(duì)內(nèi)存容量和性能的要求也在不斷提高。例如更多AI PC的出貨以及智能手機(jī)DRAM容量從8GB向16GB邁進(jìn)，都促使市場(chǎng)對(duì)更高性能內(nèi)存的需求增加。DDR5在PC和移動(dòng)設(shè)備中的應(yīng)用，能夠提升設(shè)備的運(yùn)行速度和多任務(wù)處理能力，為用戶(hù)帶來(lái)更流暢的使用體驗(yàn)。

汽車(chē)行業(yè)正朝著智能化、電動(dòng)化方向發(fā)展，車(chē)載信息娛樂(lè)系統(tǒng)、自動(dòng)駕駛輔助系統(tǒng)等對(duì)內(nèi)存的性能和可靠性要求日益嚴(yán)苛。DDR5內(nèi)存的高性能和低功耗特性，使其能夠更好地適應(yīng)汽車(chē)電子系統(tǒng)的需求；而HBM在一些高端自動(dòng)駕駛計(jì)算平臺(tái)中，也開(kāi)始嶄露頭角，用于滿(mǎn)足對(duì)海量數(shù)據(jù)快速處理的需求。

當(dāng)然，海外主要廠商在DDR5和HBM產(chǎn)品技術(shù)發(fā)展方面也取得了顯著進(jìn)展。三星作為存儲(chǔ)行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，在DDR5和HBM技術(shù)上持續(xù)投入研發(fā)。其重點(diǎn)生產(chǎn)1a/1b納米制程的DDR5和HBM3E，通過(guò)先進(jìn)的制程工藝，提升產(chǎn)品性能和降低功耗。在HBM方面，三星不斷優(yōu)化HBM3E技術(shù)，提升其在AI服務(wù)器等領(lǐng)域的應(yīng)用性能。

SK海力士同樣在DDR5和HBM領(lǐng)域發(fā)力，其DDR4產(chǎn)能占比持續(xù)下降，重點(diǎn)聚焦企業(yè)級(jí)與AI市場(chǎng)。大連工廠轉(zhuǎn)產(chǎn)HBM3E和LPDDR5X，且HBM產(chǎn)能已售罄。SK海力士計(jì)劃2025年Q3量產(chǎn)HBM4，采用MR-MUF工藝，單顆容量達(dá)36GB，這將進(jìn)一步推動(dòng)AI服務(wù)器性能的提升，滿(mǎn)足AI應(yīng)用對(duì)內(nèi)存更高的帶寬和容量需求。

美光在DDR5和HBM產(chǎn)品布局上也毫不落后。公司在停止部分DDR4供應(yīng)的同時(shí)，大力發(fā)展DDR5及HBM3E產(chǎn)品。美光的HBM產(chǎn)能每季度都在強(qiáng)勁提升，并且憑借低功耗技術(shù)優(yōu)勢(shì)，如正在量產(chǎn)且產(chǎn)能快速提升的HBM3E，比最強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品功耗低30%，在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)有利地位。同時(shí)，美光也是全球唯一一家能夠非?？焖倭慨a(chǎn)LPDRAM，并將其應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心的公司，進(jìn)一步鞏固了其在高端內(nèi)存市場(chǎng)的地位。

03、內(nèi)存市場(chǎng)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

從市場(chǎng)趨勢(shì)來(lái)看，DDR5取代DDR4成為主流已是必然。隨著技術(shù)進(jìn)步與產(chǎn)能提升，DDR5性?xún)r(jià)比持續(xù)走高，預(yù)計(jì)2025年滲透率突破65%，2026年達(dá)80%以上，其與DDR4的價(jià)格差也在不斷縮小，加速了消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)的接納進(jìn)程。而HBM市場(chǎng)憑借AI應(yīng)用的強(qiáng)勁需求，呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)，未來(lái)在AI服務(wù)器、高性能計(jì)算等領(lǐng)域的加持下需求還將持續(xù)高速增長(zhǎng)。

對(duì)于國(guó)內(nèi)廠商，盡管在DDR4市場(chǎng)有所收獲，但面對(duì)內(nèi)存行業(yè)快速的技術(shù)迭代，需加快向DDR5和HBM領(lǐng)域轉(zhuǎn)型，從而縮小與國(guó)際大廠的技術(shù)差距，才能在未來(lái)內(nèi)存市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中搶占先機(jī)。